• 专利附录
  • 专利说明
  • 权利要求
  • 类似技术
  • 同族专利
  • 引用文献
  • 法律状态
  • 优先权
    • 专利摘要:
    DieErfindung betrifft einen Verdrahtungsträger zur Aufnahme von Chipso. dgl., bestehend aus einem festen Verbund von einer oder mehreren Lageneines isolierenden Trägermaterials,mit strukturierten Leitbahnen zwischen den Lagen und/oder auf dessen Außenseiten,wobei auf beiden Außenseitenein Lötstopplackaufgebracht ist. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einenVerdrahtungsträgerfür Chipszu schaffen, der einerseits besonders dünn ist und der andererseitsdie notwendige Stabilitätaufweist. Erreicht wird das durch eine Aufteilung des Verdrahtungsträgers infunktionelle Einheiten, derart, dass der oder die Teile des Verdrahtungsträgers, diein Gehäusevon Halbleiterbauelementen eingehen, besonders dünn ausgebildet sind und dasszumindest Querstege (3) und/oder Randstreifen (2) des Verdrahtungsträgers einehöhereBiegesteifigkeit aufweisen.
    公开号:DE102004009567A1
    申请号:DE200410009567
    申请日:2004-02-25
    公开日:2005-09-29
    发明作者:Rüdiger Dr. Uhlmann
    申请人:Infineon Technologies AG；
    IPC主号:H01L23-12
    专利说明:
    [0001] DieErfindung betrifft einen Verdrahtungsträger zur Aufnahme von Chipsoder dergleichen, bestehend aus einem festen Verbund von einer odermehreren Lagen eines isolierenden Trägermateriales, mit strukturiertenLeitbahnen zwischen den Lagen und/oder auf dessen Außenseiten,wobei auf beiden Außenseitenein Lötstopplackaufgebracht ist.
    [0002] Daderartige Verdrahtungsträgerzur Montage und dem elektrischen Anschluss von Chips oder anderenaktiven oder passiven Bauelementen sowohl manuell gehandhabt werden,als auch innerhalb des Fertigungsprozesses maschinell transportiert werdenmüssen,ist es notwendig, dass diese eine ausreichende mechanische Stabilität, insbesondere Biegesteifigkeit,aufweisen. Die erforderliche Biegesteifigkeit wird dadurch erreicht,dass der Verdrahtungsträgerin Abhängigkeitvon seiner Flächeeine ausreichende Dicke aufweisen muss.
    [0003] Diebeschriebenen Verdrahtungsträgerdienen als Grundelemente fürHalbleiterbauelemente in BGA (Ball Grid Array)- und FBGA (Fine BallGrid Array)- bzw. μBGA-Gehäusen. Dazunehmend dünnere Gehäuse verlangtwerden, werden auch sehr dünne Verdrahtungsträger erforderlich,deren Biegesteifigkeit fürden Fertigungsprozess dann nicht mehr ausreicht.
    [0004] EinmöglicherAusweg wäre,sehr dünneund damit unzureichend biegesteife Verdrahtungsträger in einemgesonderten steifen Hilfsrahmen zu befestigen und bis zur Fertigstellungdes Halbleiterbauelementes mit dem Verdrahtungsträger verbundenzu lassen.
    [0005] Nachteileeiner solchen Lösungsind der zusätzlicheAufwand fürden Hilfsrahmen und der Aufwand für die passgenaue Be festigungder dünnen Verdrahtungsträger im Hilfsrahmen.Wesentlich schwerwiegender wärejedoch der Umstand, dass die Hilfsrahmen größere Abmessungen als die Verdrahtungsträger aufweisen,so dass eine Anpassung des gesamten Transportsystems notwendig wäre. EineAlternative wäredie Verwendung kleinerer Verdrahtungsträger, was wiederum eine geringereNutzflächeauf dem Verdrahtungsträgerergeben würde.
    [0006] DerErfindung liegt nunmehr die Aufgabe zugrunde, einen Verdrahtungsträger für Chipszu schaffen, der einerseits besonders dünn ist und der andererseitsdie notwendige Stabilitätaufweist.
    [0007] Erreichtwird das durch eine Aufteilung des Verdrahtungsträgers infunktionelle Einheiten, derart, dass der oder die Teile des Verdrahtungsträgers, die inGehäusevon Halbleiterbauelementen eingehen, besonders dünn ausgebildet sind und dasszumindest Querstege und/oder Randstreifen des Verdrahtungsträgers einehöhereBiegesteifigkeit aufweisen.
    [0008] Bevorzugtwird die höhereBiegesteifigkeit dadurch, dass die Querstege und/oder Randstreifen besondersbreit ausgebildet sind.
    [0009] Ineiner besonderen Fortbildung der Erfindung sind die Randstreifenund die Querstege und weitere Leitbahnbereiche vollflächig undohne Unterbrechung durchgehend und von allen Seiten bis dicht andie Gehäusereichend mit Leitbahnmaterial belegt, was gegebenenfalls auch mithöhererMaterialdicke aufgetragen werden kann, als in den übrigen Bereichen.Dadurch erhalten diese Teile des Verdrahtungsträgers eine noch höhere Biegesteifigkeit.
    [0010] Ineiner Variante der Erfindung kann der Zuwachs an Materialdicke durchzusätzlichaufgebrachte Schichten aus Kupfer und/oder Nickel erreicht werden.
    [0011] Eineweitere Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, dass die Außenseitendes Verdrahtungsträgersim Bereich der Randstreifen sowie die Querstege beidseitig mit einemLötstopplackbeschichtet sind.
    [0012] Wirdeine unterschiedliche Schichtstärke und/oderFlächenbelegungdes Lötstopplackesauf den beiden Außenseitendes Verdrahtungsträgers vorgesehen,kann erreicht werden, dass sich beim Aushärten des Lötstopplackes durch Schrumpfprozesseeine versteifende Querverkrümmung über die gesamteLänge desVerdrahtungsträgersausbildet.
    [0013] Zusätzlich zuden vorstehenden Maßnahmenbesteht die Möglichkeit,in den Randstreifen mindestens eine in Längsrichtung des Verdrahtungsträgers verlaufendeSicke einzubringen, was gegebenenfalls in begrenztem Maße durchHeißpressen erfolgenkann.
    [0014] Weiterhinsollten die Randstreifen und die Querstege im wesentlichen freivon Durchbrüchen oderBohrungen sein.
    [0015] DieErfindung soll nachfolgend an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert werden.Die zugehörigeZeichnungsfigur zeigt einen erfindungsgemäß ausgestatteten Verdrahtungsträger.
    [0016] Inder Zeichnungsfigur ist ein Verdrahtungsträger mit zwei inneren Gebieten 1,einem genügend breitenRandstreifen 2 an sämtlichenvier Außenkantenund ein Quersteg 3 schematisch dargestellt. In jedem innerenGebiet jeweils rechts und links des Querstreifens befinden sichentsprechende Strukturen zur Aufnahme von Chips und zur Ausbildungvon jeweils sechs Halbleiterbauelementen.
    [0017] DasAusgangsmaterial des Verdrahtungsträgers ist ein sehr dünnes, aufbeiden Seiten mit Leitbahnebenen aus Kupfer belegtes Basismaterial,dessen Dicke den Anforderungen dünnerBauelemente entspricht und welches nach einer entsprechenden Strukturierungund Beschichtungsschritten Bestandteil des Halbleiterbauelementeswird.
    [0018] ZumTransport des Verdrahtungsträgersin entsprechenden Transporteinrichtungen sind im Randstreifen 2 Bohrungen 4 vorgesehen,deren Durchmesser relativ klein zur Breite des Randstreifens 2 gestaltetist. Weiterhin ist im Quersteg 3 ein für die Wärmeausdehnung vorgesehenerlanger schmaler Durchbruch 5 so angeordnet und gestaltet,dass die Biegesteifigkeit des Quersteges in seiner Längsrichtungnur unwesentlich verringert wird.
    [0019] DerRandstreifen 2 und der Quersteg 3 sind auf beidenSeiten des Verdrahtungsträgersmit Ausnahme der Bohrungen 4 und des Durchbruches 5 im Trägermaterialvollflächigund ohne Unterbrechungen mit der Leitbahnebene aus Kupfer belegt.Auf der Oberseite sind noch mehrere, für Sägemarken notwendige Öffnungen 6 inder Leitbahnebene angeordnet, wobei die Abmessungen der Öffnungen 6 klein zurBreite des Randstreifens 2 gestaltet sind.
    [0020] Aufbeiden Seiten des Verdrahtungsträgers istdie Dicke der Randstreifen 2 und des Quersteges 3 durchAuftragen von zusätzlichemNickel und/oder Kupfer erhöht.Weiterhin kann in diesen Bereichen zusätzlich ein Lötstopplackaufgetragen werden, was die Biegesteifigkeit weiter erhöht.
    [0021] Wirdeine unterschiedliche Schichtstärke und/oderFlächenbelegungdes Lötstopplackesauf den beiden Außenseitendes Verdrahtungsträgers vorgesehen,kann erreicht werden, dass sich beim Aushärten des Lötstopplackes durch Schrumpfprozesseeine versteifende Querverkrümmung über die gesamteLänge desVerdrahtungsträgersausbildet.
    [0022] Zusätzlich zuden vorstehenden beschrieben Maßnahmenbesteht die Möglichkeit,in den Randstreifen 2 mindestens eine in Längsrichtungdes Verdrahtungsträgersverlaufende Sicke ein zubringen, was gegebenenfalls in begrenztemMaße durch Heißpressenerfolgen kann.
    1 inneresGebiet 2 Randstreifen 3 Quersteg 4 Bohrung 5 Durchbruch 6 Öffnung
    权利要求:
    Claims (10)
    [1] Verdrahtungsträger zur Aufnahme von Chips oderdergleichen, bestehend aus einem festen Verbund von einer oder mehrerenLagen eines isolierenden Trägermateriales,mit strukturierten Leitbahnen zwischen den Lagen und/oder auf dessenAußenseiten,wobei auf beiden Außenseitenein Lötstopplack aufgebrachtist, gekennzeichnet durch eine Aufteilung des Verdrahtungsträgers infunktionelle Einheiten, derart, dass der oder die Teile des Verdrahtungsträgers, diein Gehäusevon Halbleiterbauelementen eingehen, besonders dünn ausgebildet sind und dasszumindest Querstege (3) und/oder Randstreifen (2)des Verdrahtungsträgerseine höhereBiegesteifigkeit aufweisen.
    [2] Verdrahtungsträgernach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Querstege (3)und/oder Randstreifen (2) besonders breit ausgebildet sind.
    [3] Verdrahtungsträgernach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Randstreifen(2) und die Querstege (3) und weitere Leitbahnbereiche vollflächig undohne Unterbrechung durchgehend und von allen Seiten bis dicht andie Gehäuseim inneren Bereich (1) reichend mit Leitbahnmaterial belegtsind.
    [4] Verdrahtungsträgernach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Leitbahnmaterialmit größerer Materialdickeaufgebracht ist.
    [5] Verdrahtungsträgernach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Zuwachs an Materialdicke durchzusätzlichaufgebrachte Schichten aus Kupfer und/oder Nickel erreicht wird.
    [6] Verdrahtungsträgernach den Ansprüchen1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Außenseiten des Verdrahtungsträgers imBereich der Randstreifen (2) sowie die Querstege (3)beidseitig mit einem Lötstopplackbeschichtet sind.
    [7] Verdrahtungsträgernach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet dass die Schichtstärke und/oderFlächenbelegungdes Lötstopplackesauf den beiden Außenseitendes Verdrahtungsträgersunterschiedlich ist.
    [8] Verdrahtungsträgernach einem der Ansprüche1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass in den Randstreifen (2)mindestens eine in Längsrichtung desVerdrahtungsträgersverlaufende Sicke eingebracht ist.
    [9] Verdrahtungsträgernach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Sicke durch Heißpressen eingebrachtist.
    [10] Verdrahtungsträgernach den Ansprüchen1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Randstreifen (2)und die Querstege (3) im wesentlichen frei von Durchbrüchen (5)oder Öffnungen(6) sind.
    类似技术:
    公开号 | 公开日 | 专利标题
    US7217994B2|2007-05-15|Stack package for high density integrated circuits
    US6902951B2|2005-06-07|Electronic device configured as a multichip module, leadframe, panel with leadframe positions, and method for producing the electronic device
    US20140307403A1|2014-10-16|Method for integrating an electronic component into a printed circuit board
    TWI475660B|2015-03-01|在多晶片模組中用於電磁干擾屏蔽之方法及裝置
    JP3923703B2|2007-06-06|放熱手段を有するプリント配線板
    TWI332378B|2010-10-21|Multilayer printed circuit board and manufacturing method thereof
    DE102004022884B4|2007-07-19|Halbleiterbauteil mit einem Umverdrahtungssubstrat und Verfahren zur Herstellung desselben
    US7279365B2|2007-10-09|Method of manufacturing heat conductive substrate
    US5377077A|1994-12-27|Ultra high density integrated circuit packages method and apparatus
    DE102006005645B4|2009-04-02|Stapelbarer Baustein, Bausteinstapel und Verfahren zu deren Herstellung
    TWI536511B|2016-06-01|封裝半導體晶粒的方法
    KR20140012882A|2014-02-04|일체식 구조적 요소를 갖는 다층 전자 구조체
    US20060046346A1|2006-03-02|Methods for packaging microfeature devices and microfeature devices formed by such methods
    JP2010506409A|2010-02-25|局所的可撓性を備える回路基板
    EP0692820B1|2002-10-02|Träger und Verfahren zur Herstellung einseitig mit Harz versiegelter Halbleiteranordnungen mittels des genannten Trägers
    JP6527640B2|2019-06-05|Carrier ultra thin substrate
    US6107682A|2000-08-22|Compliant wirebond packages having wire loop
    EP1951015A1|2008-07-30|Leiterplatte und verfahren zur herstellung einer leiterplatte
    CN102265717B|2014-04-30|刚挠性电路板及其制造方法
    KR19990062689A|1999-07-26|반도체장치
    US20080151518A1|2008-06-26|Circuit board structure with embedded electronic components
    US20100237487A1|2010-09-23|Methods and systems for packaging integrated circuits
    KR20020051934A|2002-06-29|리드-온-칩 반도체 패키지를 위한 볼 그리드 기판
    US20080179079A1|2008-07-31|Printed-Wiring Board, Bending Processing Method for Printed-Wiring Board, and Electronic Equipment
    JP4600065B2|2010-12-15|Semiconductor device and manufacturing method thereof
    同族专利:
    公开号 | 公开日
    JP2005244233A|2005-09-08|
    DE102004009567B4|2007-01-04|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    2005-09-29| OP8| Request for examination as to paragraph 44 patent law|
    2007-06-28| 8364| No opposition during term of opposition|
    2009-12-17| 8339| Ceased/non-payment of the annual fee|
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    DE200410009567|DE102004009567B4|2004-02-25|2004-02-25|Verdrahtungsträger zur Aufnahme von Chips|DE200410009567| DE102004009567B4|2004-02-25|2004-02-25|Verdrahtungsträger zur Aufnahme von Chips|
    JP2005047277A| JP2005244233A|2004-02-25|2005-02-23|チップを収容するための配線キャリア|
    [返回顶部]